Molibdeno · Electrónica de potencia y célula solar CIGS

Sustratos de Molibdeno

Sustratos de molibdeno de alta planitud para electrónica de potencia (IGBT, SiC, GaN), módulos de células solares CIGS y unidades de refrigeración por difusión. La conductividad térmica (138 W/m·K) y la baja expansión térmica (αT 4,8 ppm/K) del Mo minimizan el estrés termomecánico en la unión material-chip.

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  • Conductividad térmica 138 W/m·K — disipación eficiente de calor
  • αT 4,8 ppm/K — compatible con Si, GaAs, SiC y cerámicas de Al₂O₃
  • Planitud ≤ 0,05 mm / 100 mm · Rugosidad Ra ≤ 0,2 µm tras lapeado
  • Tolerancias ±0,01 mm en espesor · Corte láser o punzado
  • Opciones de acabado: bruto, lapeado simple cara / doble cara, Ni electrolítico